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本公开提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，所述基底包括浅沟槽隔离结构及被所述浅沟槽隔离结构限定的有源区；在所述有源区表面形成沟道层；去除所述浅沟槽隔离结构与所述有源区交界区域的所述沟道层，暴露出部分所述有源区；在所述有源...
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