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本申请公开一种半导体元件，包括多个漏极区，于基底中；多个电容器插塞，于多个漏极区上；多个下层电极，于多个电容器插塞上，并分别包括U形截面轮廓；下部支撑层，于基底之上，靠在多个下层电极的外表面上，并包括多个第一开口，沿下部支撑层，并在多个下层...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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