【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种具有支撑层的半导体元件。
技术介绍
1、半导体元件运用于各种电子应用，譬如个人电脑、移动电话、数码相机及其他的电子装置。半导体元件的尺寸不断地缩小，以满足在计算能力方面日渐增加的需求。然而，在缩小尺寸的过程中遭遇各种问题，而且类似的问题不断地增加。因此，在实现提高品质、产量、性能、可靠性以及降低复杂性方面持续地存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括多个漏极区，设置于一基底中；多个电容器插塞，设置于该多个漏极区上；多个下层电极，设置于该多个电容器插塞上，并分别包括一u形截面轮廓；一下部支撑层，设置于该基底之上，靠在该多个下层电极的一外表面上，并包括：多个第一开口，沿该下部支撑层设置，并在该多个下层电极之间；以及一上部支撑层，设置于下部...
【技术保护点】
1.一半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一电容器介电层，共形地设置于该多个下层电极、该下部支撑层及该上部支撑层上。
3.如权利要求2所述的半导体元件，更包括一上层电极，设置于该电容器介电层上，其中该多个下层电极、该电容器介电层及该上层电极配置成多个电容器结构。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括相同的材料。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括不同的材料。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该下部支撑层的一厚度与该...
【技术特征摘要】
1.一半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一电容器介电层，共形地设置于该多个下层电极、该下部支撑层及该上部支撑层上。
3.如权利要求2所述的半导体元件，更包括一上层电极，设置于该电容器介电层上，其中该多个下层电极、该电容器介电层及该上层电极配置成多个电容器结构。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括相同的材料。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其中该下部支撑层与该上部支撑层包括不同的材料。
6.如权利要求4所述的半导体元件，其中该下部支撑层的一厚度与该上部支撑层的一厚度不同。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该下部支撑层的一厚度与该上部支撑层的一厚度实质上相同。
8.如权利要求3所述的半导体元件，更包括一蚀刻停止层，设置于该下部支撑层之下并靠在该多个下层电极的该外表面上。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该蚀刻停止层与该下部支撑层包括相同的材料。
10.如权利要求8所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：周良宾，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。