温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开关于一种半导体装置和其制造方法。制造半导体装置方法包括形成相互平行且涂覆着共形牺牲层的三维导电通道，涂覆着共形牺牲层的三维导电通道形成在半导体基板上；沉积介电材料以填充涂覆着共形牺牲层的三维导电通道之间的空隙，其中所沉积的一部分或全部...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。