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一种半导体装置包括半导体层上方的交替的第一字线层和第一绝缘层的第一堆叠体。第一沟道结构从半导体层延伸穿过第一堆叠体的第一阵列区域。交替的第二字线层和第二绝缘层的第二堆叠体在第一堆叠体上方。第二沟道结构从第一沟道结构延伸穿过第二堆叠体的第二阵...
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