温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术实施例提供一种存储单元结构及动态随机存取存储单元结构。无电容器动态随机存取存储器(DRAM)单元可包括多个晶体管。晶体管中的至少一个子集可包括近似地类似于经倒置U形状、欧姆符号(ohm，Ω)形状或大写字母的/大写亚米茄(omega，Ω...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。