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本发明公开了一种沟槽栅超结器件，器件单元结构的沟槽栅由形成于栅极沟槽中的底部介质层、栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。底部介质层形成于栅极沟槽的底部。各栅极沟槽由相同的沟槽刻蚀工艺形成，各栅极沟槽的底部表面不相平且底部表面的位置偏差由沟槽刻...
该专利属于深圳尚阳通科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技股份有限公司授权不得商用。

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