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一种半导体存储器装置的制造方法，包括：在存储器单元的至少一部分上方依次形成下氧化物层、字元线金属层和上氧化物层；形成贯穿上氧化物层、字元线金属层和下氧化物层的通孔，以暴露部分存储器单元；在通孔中形成牺牲柱；去除上氧化物层以暴露牺牲柱的顶部；...
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