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本公开涉及碳化硅基电子器件及其制造方法以及二极管。一种电子器件，包括：半导体本体，特别是碳化硅的，SiC，具有沿第一方向彼此相对的第一面和第二面；以及在第一面处的电端子，该电端子通过电绝缘区域与半导体本体绝缘。电绝缘区域是多层，其包括：与所...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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