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本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件。该器件包括：衬底；第一缓冲层，第一缓冲层位于衬底之上，第一缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层；第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层远离衬底的表面，第二缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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