温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种具有多层超结结构的ＳＯＩ?ＬＤＭＯＳ器件的制作方法，该方法采用ＳＯＩ衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的ＳＯＩ衬底上制备外延层，利用与制作第一层超结结构相同的工艺条件制作另一层超结结构，...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。