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本发明公开了一种提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺，涉及覆晶薄膜制备技术领域，包括S1、基板固定；S2、排列线路；S3、线路合并增宽；S4、基板翻转；S5、涂层增厚。该提高抗挠折性的覆晶薄膜制备工艺，通过排线组件对线路端部进行夹持固定，将每三个...
该专利属于浙江晶引电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶引电子科技有限公司授权不得商用。

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