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由CCP等离子体或RPS清洁来清洁SIN制造技术
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文档序号:40487150
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描述了一种物理气相沉积处理腔室。所述处理腔室包括:靶背板,所述靶背板在处理腔室的顶部部分中;基板支撑件,所述基板支撑件在所述处理腔室的底部部分中;沉积环,所述沉积环定位在所述基板支撑件的外周边处;和屏蔽物。所述基板支撑件具有支撑表面,所述支...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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