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本发明公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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