一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法技术

本发明专利技术公开了单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。其方法包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空条件下进行浸渍处理后干燥所得。本发明专利技术采用真空浸渍NaClO溶液的方法对反应体系中的惰性垫片进行处理，以此增加制备过程的可控性，实现了大尺寸、高质量二硫化钼单层薄膜的制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二维材料制备，具体涉及一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法。

技术介绍

1、近年来，二维层状材料因其独特的电子性质和超薄厚度被誉为下一代纳米电子器件应用的热门材料。其中，二硫化钼是一种二维半导体材料，其具有独特的可见光吸光特性，并且它的发光带隙与材料的层数密切相关。因此，二硫化钼材料被广泛应用于多波长功能化的光电探测器。而直接带隙单层二硫化钼薄膜材料的优异发光特性，在光致及电致发光器件方面也具有重要的应用价值。然而，现阶段面向器件高度集成应用需求，发展新的生长制备技术，实现大尺寸单层二硫化钼均一薄膜材料的制备仍存在挑战。

2、现有技术中，公开号为cn115058700a的专利公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法，该方法采用氧化铝垫片置于钼源上方，杜绝了多余钼源供给及其他杂质的引入，制备的二硫化钼薄膜尺寸约为200μm，但在光学显微镜下可观察到明显的晶界以及薄膜缺口，区域连续性和均匀性有待提升。此类改进方法使用惰性垫片可在微观层面改进普遍存在的生长源过度供给问题，但是未实现对多层分子的选择成核调控，从而限制了二硫化钼薄膜的尺寸，导致多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有NaClO溶液的容器中，在真空下进行浸渍处理后干燥所得。

2.根据权利要求1所述的单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，NaClO溶液浓度为0.08-0.12mol/L，真空度为85-90kPa。

3.根据权利要求2所述的单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：...

【技术特征摘要】

1.一种单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将惰性耐高温垫片上放置蓝宝石衬底于加热装置内，硫源、钼源置于加热装置内进行抽真空后通氮气，加热处理硫源、钼源以进行化学气相沉积反应，得二硫化钼薄膜；其中，惰性耐高温垫片是将干燥洁净的泡沫碳化硅浸泡于装有naclo溶液的容器中，在真空下进行浸渍处理后干燥所得。

2.根据权利要求1所述的单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，naclo溶液浓度为0.08-0.12mol/l，真空度为85-90kpa。

3.根据权利要求2所述的单层二硫化钼薄膜大尺寸生长制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梓维，刘笑，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：