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一种集成电路结构包括：包括碳、氧或氢中的至少一种以及硅的第一层以及位于第一层上方并且包括多个晶体管的器件层。第一互连结构位于所述器件层上方并且包括第一导电互连特征。第二互连结构位于所述第一层下方并且包括第二导电互连特征。在示例中，所述第二导...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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