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本公开涉及用于隔离晶体管的隔离区域及形成该隔离区域的方法。一种方法包括蚀刻晶圆中的栅极堆叠以形成沟槽，沉积延伸至沟槽中的氮化硅衬垫，以及沉积氧化硅层。沉积氧化硅层的工艺包括使用包括氮和氢的工艺气体对晶圆执行处理工艺，以及使用硅前体对晶圆执行...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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