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本技术提供一种影像传感器,所述影像传感器包括具有第一掺杂类型的第一半导体层。具有第一掺杂类型的第二半导体层位于第一半导体层的侧壁之间,且在垂直方向上沿第一半导体层的侧壁自第一半导体层的底侧朝第一半导体层的顶侧延伸。具有第一掺杂类型的第一掺杂...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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本技术提供一种影像传感器,所述影像传感器包括具有第一掺杂类型的第一半导体层。具有第一掺杂类型的第二半导体层位于第一半导体层的侧壁之间,且在垂直方向上沿第一半导体层的侧壁自第一半导体层的底侧朝第一半导体层的顶侧延伸。具有第一掺杂类型的第一掺杂...