具有侧向光侦测器结构的影像传感器制造技术

本技术提供一种影像传感器，所述影像传感器包括具有第一掺杂类型的第一半导体层。具有第一掺杂类型的第二半导体层位于第一半导体层的侧壁之间，且在垂直方向上沿第一半导体层的侧壁自第一半导体层的底侧朝第一半导体层的顶侧延伸。具有第一掺杂类型的第一掺杂区位于第一半导体层中且在侧向上位于第二半导体层旁。第一掺杂区在垂直方向上沿第二半导体层的侧壁延伸。具有第二掺杂类型的第二掺杂区位于第一半导体层中且在侧向上位于第一掺杂区旁。第二掺杂区在垂直方向上沿第一掺杂区的一侧延伸，且与第一掺杂区形成p‑n接面。

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及一种具有侧向光侦测器结构的影像传感器。

技术介绍

1、具有互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)影像传感器的集成电路(integrated circuit，ic)用于各种各样的现代电子装置(例如相机及移动电话)中。一些cmos影像传感器基于雪崩光二极管(avalanche photodiode，apd)及单光子雪崩光二极管(single-photon avalanche photodiode，spad)。一些类型的cmos影像传感器包括正面照明(front-side illuminated，fsi)影像传感器及背面照明(back-side illuminated，bsi)影像传感器。

技术实现思路

1、在一些实施例中，本技术是有关于一种影像传感器，所述影像传感器包括具有底侧及顶侧的第一半导体层。第一半导体层具有第一掺杂类型。第二半导体层位于第一半导体层的侧壁之间，且在垂直方向上沿第一半导体层的侧壁自第一半导体层的底侧朝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种影像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区直接位于所述第二掺杂区与所述第二半导体层之间。

3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区通过所述第一掺杂区及所述第一半导体层而与所述第二半导体层在侧向上分隔开。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第一半导体层的所述底侧及所述第一半导体层的所述顶侧沿水平方向延伸，且其中所述p-n接面相对于所述水平方向在垂直方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区的底部沿所述第一半导体...

【技术特征摘要】

1.一种影像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区直接位于所述第二掺杂区与所述第二半导体层之间。

3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区通过所述第一掺杂区及所述第一半导体层而与所述第二半导体层在侧向上分隔开。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第一半导体层的所述底侧及所述第一半导体层的所述顶侧沿水平方向延伸，且其中所述p-n接面相对于所述水平方向在垂直方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第二掺杂区的底部沿所述第一半导体层的所述底侧延伸，且其中所述第一掺杂区的底部与所述第一半导体层的所述底侧分隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国钦，王子睿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：