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本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中电容器金属配线之间的寄生电容大的问题。包括衬底；间隔形成在衬底的上方的至少两条导电配线；每条导电配线包括上配线段，同一上配线段的底端与顶端的面积不同；上介质层，上介质...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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