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描述了具有外延源极或漏极区域横向隔离的全环栅集成电路结构。例如，集成电路结构包括第一纳米线垂直布置结构和第二纳米线垂直布置结构。栅极堆叠体在第一纳米线垂直布置结构和第二纳米线垂直布置结构上方。第一外延源极或漏极结构在第一纳米线垂直布置结构的...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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