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本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：读取第一文件；读取第二文件；基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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