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基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法技术

技术编号:40412205 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-20 22:30
本发明专利技术公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法,涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括:读取第一文件;读取第二文件;基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过;若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体场效应晶体管,尤其涉及一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法。


技术介绍

1、mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是集成电路中用量最大、使用最广的器件单元之一。它通过栅压(vgs)来影响漏源电流(ids),进而实现对器件工作状态的精确控制。以mosfet为基础,人们不仅开发出各具所长的新型器件,如hemt、vdmos、finfet、igbt等,还设计了各种电路模块,包括寄存器、锁存器、dram、sram、flash等,使得集成电路可以实现不同的功能,满足多样化的需求。

2、bsim4是基于物理原理建立的mosfet集约模型,其模型参数具备一定的物理内涵,因此具有一定的取值范围限制。然而,模型对于计算机来说仅仅具有数学意义,其物理意义是隐含的。在参数提取过程中,很容易出现这样一种情况:算法提取出任意一组模型参数,从器件性能曲线的拟合上来说,它是数学上的更优解,具有更好的样本残差。但是,这组参数在物理上并不一定具有相应的意义,这导致模型参数在物理意义上不稳定。


技术实现思路

1、(一)专利技术目的

2、本专利技术的目的是提供一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法,以解决现有的mosfet模型的算法提取出任意一组模型参数后,该组参数在物理上并不一定具有相应的意义,导致模型参数在物理意义上不稳定的技术问题。

3、(二)技术方案

4、为解决上述问题,本专利技术提供了一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法,包括:

5、读取第一文件;

6、读取第二文件;

7、基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过;

8、若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。

9、可选地,所述第一文件为模型参数文件,所述第二文件为参数取值范围文件。

10、可选地,若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求之后还包括:

11、对所述第一文件中的所有参数依次执行:

12、基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过;

13、若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。

14、可选地,所述第一文件由模型参数提取获得,所述第一文件中包含所有的模型参数和参数取值。

15、可选地,所述第二文件为自编写文件,所述参数取值范围文件中包含参数需要满足的取值范围。

16、可选地,基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过包括:

17、若所述第一文件中的前参数取值不满足位于所述第二文件的当前参数对应的错误边界的范围内,则判断参数取值出现严重错误;

18、分析不满足范围的原因;

19、修改参数提取策略;

20、重新进行参数提取。

21、可选地,若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求包括:

22、若所述第一文件中的前参数取值不满足位于所述第二文件的警告边界内,则继续判断被警告参数取值在当前的情况下是否合理;

23、若判断被警告参数取值在当前的情况下合理,则忽略警告提示,检查流程结束;

24、若判断被警告参数取值在当前的情况下不合理,则需要改进参数提取策略,重新进行参数提取。

25、(三)有益效果

26、本专利技术的上述技术方案具有如下有益的技术效果:

27、本专利技术利用该方法在模型参数提取之后,到输入spice工具进行电路仿真之前,利用基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过;若所述第一文件中的当前参数取值通过,则基于所述第二文件中的警告边界,判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。这样,通过两步分别进行判断,对提取出的模型参数取值进行检查,以便及时发现并修正模型参数中存在的问题,保证模型质量,为器件性能仿真提供准确、可靠的模型库。解决了模型参数在物理意义上不稳定的技术问题。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的自动化检查方法,其特征在于,所述第一文件为模型参数文件,所述第二文件为参数取值范围文件。

3.根据权利要求2所述的自动化检查方法,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的自动化检查方法,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的自动化检查方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的自动化检查方法,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的自动化检查方法,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的自动化检查方法,其特征在于,所述第一文件为模型参数文件,所述第二文件为参数取值范围文件。

3.根据权利要求2所述的自动化检查方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:李兴冀崔秀海刘中利杨剑群
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:

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