本发明专利技术公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，涉及半导体场效应晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：读取第一文件；读取第二文件；基于所述第二文件中的当前参数对应的错误边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否通过；若所述第一文件中的当前参数取值通过，则基于所述第二文件中的警告边界，判断所述第一文件中的当前参数取值是否符合物理要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体场效应晶体管，尤其涉及一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法。
技术介绍
1、mosfet(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是集成电路中用量最大、使用最广的器件单元之一。它通过栅压(vgs)来影响漏源电流(ids)，进而实现对器件工作状态的精确控制。以mosfet为基础，人们不仅开发出各具所长的新型器件，如hemt、vdmos、finfet、igbt等，还设计了各种电路模块，包括寄存器、锁存器、dram、sram、flash等，使得集成电路可以实现不同的功能，满足多样化的需求。
2、bsim4是基于物理原理建立的mosfet集约模型，其模型参数具备一定的物理内涵，因此具有一定的取值范围限制。然而，模型对于计算机来说仅仅具有数学意义，其物理意义是隐含的。在参数提取过程中，很容易出现这样一种情况：算法提取出任意一组模型参数，从器件性能曲线的拟合上来说，它是数学上的更优解，具有更好的样本残差。但是，这组参数在物理上并不一定具有相应的意义，这导致模型参数在物理意义上不稳定。
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【技术保护点】
1.一种基于BSIM4模型的MOSFET模型参数范围自动化检查方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，所述第一文件为模型参数文件，所述第二文件为参数取值范围文件。
3.根据权利要求2所述的自动化检查方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的自动化检查方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基于bsim4模型的mosfet模型参数范围自动化检查方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的自动化检查方法，其特征在于，所述第一文件为模型参数文件，所述第二文件为参数取值范围文件。
3.根据权利要求2所述的自动化检查方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴冀，崔秀海，刘中利，杨剑群，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：
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