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本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，器件单元包括：沟槽栅，源极沟槽，位于源极沟槽和沟槽栅之间的第一导电类型掺杂的第一半导体外延层为平台区。沟道区形成于平台区中，源区形成于沟道区的表面区域中。沟槽栅的栅极沟槽纵向穿过沟道区。在源极沟槽中填充有源...
该专利属于深圳尚阳通科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技股份有限公司授权不得商用。

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