温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明总体涉及等离子体半导体处理以及相关的部件和工具。在示例中,聚焦环包括第一环形层和第二环形层。第二环形层的上表面构造成通过第一环形层的下表面接触该上表面来支撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期性结构,并且具有相同的周期长度。下表面...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明总体涉及等离子体半导体处理以及相关的部件和工具。在示例中,聚焦环包括第一环形层和第二环形层。第二环形层的上表面构造成通过第一环形层的下表面接触该上表面来支撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期性结构,并且具有相同的周期长度。下表面...