【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、等离子体处理在半导体工业中已经变得无处不在。等离子体半导体处理已经用于刻蚀材料、沉积材料等。已发现的是，相对于先前处理，这种等离子体处理在其执行处理的半导体基板上具有改进的处理质量或结果特性。例如，已发现的是，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)具有优于先前化学气相沉积(cvd)工艺的优点，包括低的沉积温度、增加的材料纯度和改进的台阶覆盖率(step coverage)。然而，等离子体的引入已经带来了各种挑战。
技术实现思路
1、本文描述的第一示例是用于半导体处理的部件。该部件包括聚焦环，该聚焦环构造为在等离子体半导体处理期间横向环绕半导体基板。聚焦环包括具有下表面的第一环形层和具有上表面的第二环形层。上表面构造成通过下表面接触上表面来支撑第一环形层。下表面和上表面在周向上呈周期性结构。下表面和上表面在距聚焦环的中心相同的第一径向距离处具有相同的周期长度。下表面和上表面中的至少一个包括第一突出径向线、第一凹入径向线和第二突出径向线。第一凹入径向线横向地布置在第一突出径向线...
【技术保护点】
1.一种用于半导体处理的部件，所述部件包括：
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述至少一个在所述第一突出径向线、所述第一凹入径向线和所述第二突出径向线中的每一个处是连续的。
3.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述至少一个在所述第一突出径向线、所述第一凹入径向线和所述第二突出径向线中的每一个处是不连续的。
4.根据权利要求1所述的部件，其中，在所述第一径向距离处从所述第一突出径向线到所述第二突出径向线的所述周期长度关于所述第一凹入径向线对称。
5.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于半导体处理的部件，所述部件包括：
2.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述至少一个在所述第一突出径向线、所述第一凹入径向线和所述第二突出径向线中的每一个处是连续的。
3.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述至少一个在所述第一突出径向线、所述第一凹入径向线和所述第二突出径向线中的每一个处是不连续的。
4.根据权利要求1所述的部件，其中，在所述第一径向距离处从所述第一突出径向线到所述第二突出径向线的所述周期长度关于所述第一凹入径向线对称。
5.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述至少一个是正弦曲面，所述第一突出径向线、所述第一凹入径向线和所述第二突出径向线各自在所述正弦曲面中。
6.根据权利要求1所述的部件，其中：
7.根据权利要求6所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述另一个在所述第二凹入径向线、所述第三突出径向线和所述第三凹入径向线中的每一个处是连续的。
8.根据权利要求6所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的所述另一个在所述第二凹入径向线、所述第三突出径向线和所述第三凹入径向线中的每一个处是不连续的。
9.根据权利要求1所述的部件，其中，所述下表面和所述上表面中的每一个是正弦曲面，所述上表面与所述下表面互补。
10.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第一环形层是非导电材料。
11.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二环形层包括导电电极。
12.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二环形层包括竖直突出的凸缘，所述凸缘构造成横向地限制所述第一环形层。
13.根据权利要求1所述的部件，其中：
14.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第二环形层具有底表面，凹入部从所述底表面起位于所述第二环形层中，所述凹入部构造成与相应的销接合。
15.根据权利要求1所述的部件，其中，所述第一环形层具有内侧壁，在所述第一环形层中形成有从所述第一环形层的所述内侧壁延伸深入的狭槽，所述狭槽构造成与相应的销接合，所述狭槽还构造成允许所述相应的销相对于所述第一环形层在所述狭槽内竖直行进。
16.根据权利要求1所述的部件，其中：
17.一种用于半导体处理的处理工具，所述处理工具包括：
18.根据权利要求17所述的处理工具，其中，所述基板支撑件包括止动销，所述止动销在所述基板支撑件的竖直侧壁处且位于所述凸缘上方，所述止动销在伸出位置从所述竖直侧壁横向延伸，所述止动销是可缩回的，所述止动销构造成与所述聚焦环的内侧壁中的相应狭槽接合。
19.根据权利要求18所述的处理工具，其中，所述基板支撑件包括致动器，所述致动器均构造成使所述止动销中的相应止动销缩回和伸出。
20.根据权利要求17所述的处理工具，其中，所述基板支撑件包括从所述凸缘竖直延伸的止动销，所述止动销构造成与所述聚焦环的下表面中的相应凹入部接合。
21.根据权利要求20所述的处理工具，其中，所述止动销是固定的。
22.根据权利要求17所述的处理工具，其中，所述聚焦环旋转组件还包括旋转销，所述旋转销机械地联接至所述框架并且从所述框架突出，所述旋转销延伸通过形成为穿过所述凸缘的相应狭槽并且竖直...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭宇霖，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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