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本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了一种套刻标记及制备方法、曝光区域和半导体制备工艺，套刻标记由刻蚀在硅层上的若干沟槽构成；套刻标记的制备方法包括以下步骤：S1、在硅层的上表面形成硬掩膜层；S2、在硬掩膜层的上表面形成光刻胶层；S3、采...
该专利属于成都高真科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都高真科技有限公司授权不得商用。

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