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本技术公开了一种蚀刻效果均匀的半导体电极，包括电极，所述电极表面设有呈环状分布的气孔，电极表面设有曲面，曲面为连续环状所述曲面最外轮廓部位与中心部位凸出，最外轮廓部位与中心部位之间区域向内凹陷。本技术中电极作为等离子蚀刻的核心部件，通过在电...
该专利属于安徽四象半导体材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽四象半导体材料科技有限公司授权不得商用。

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