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本发明公开了一种单模半导体激光器，包括：N面电极；衬底，形成在N面电极上；叠层结构，形成在衬底上，叠层结构自下而上依次包括缓冲层、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层；P型限制层，形成在叠层结构上，P型限制层包括第一部分和从第一部分远...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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