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一种半导体存储器件包括：基板，包括沟槽和接触凹陷；直接接触，设置在沟槽内部并具有比沟槽的宽度小的宽度；位线结构，设置在直接接触上并具有比沟槽的宽度小的宽度；间隔物结构，设置在直接接触的侧表面和位线结构的侧表面上；以及掩埋接触，通过间隔物结构...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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