【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储器件以及制造该半导体存储器件的方法。
技术介绍
1、随着半导体元件逐渐变得高度集成，各个电路图案进一步小型化以在同一面积中实现更多的半导体元件。也就是，随着半导体元件的集成度增大，对于半导体元件的部件的设计规则减小。因此，相邻的部件之间的空间可能变得更小且更有限。
2、在高度按比例缩小的半导体元件中，形成具有插置在它们之间的多个掩埋接触(bc)和多个直接接触(dc)的多条布线的工艺变得越来越复杂和困难。由于在高度按比例缩小的半导体元件中的相邻的掩埋接触(bc)和直接接触(dc)之间的空间有限，如果相邻的掩埋接触(bc)和直接接触(dc)之间的分隔距离缩短，则即使在它们之间没有直接的物理接触，当施加电压时也可能发生电连接，这会导致半导体元件的可靠性的劣化。因此，期望在高度按比例缩小的半导体元件中确保相邻的接触之间的适当分隔距离。
技术实现思路
1、本专利技术的实施方式提供一种具有提高的产品可靠性的半导体存储器件。
2、本专利技术的实施方式还...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
11.根据权利要求1所述的半导体存
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，
7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，
【专利技术属性】
技术研发人员：徐昌佑，沈玄哲，李多仁，宋秀娟，宋定垠，柳原锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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