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本公开实施例公开了一种半导体结构以及制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向延伸且在第二方向和第三方向上间隔排布的半导体层，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且所述第...
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