【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)作为一种新型的半导体存储器件，被越来越多地应用于计算机等设备的制造和使用之中。dram由许多重复的存储单元组成，每个存储单元通常包括电容器和晶体管。
2、在半导体制造工艺中，随着关键尺寸的缩小，电阻问题是一种亟待解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体结构，包括：
3、衬底；
4、位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向延伸且在第二方向和第三方向上间隔排布的半导体层，所述第一方向和所述第二方向为平行于所述衬底平面的方向，且所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第三方向为垂直于所述衬底平面的方向；
5、接触结构，所述接触结构包括在第一方向上的第一端...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
10....
【专利技术属性】
技术研发人员：黄猛，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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