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本发明提供一种在气相沉积条件下使高度保形的含钼或钨膜快速沉积至微电子装置衬底上的方法。在本发明的实践中，进行第一成核步骤，同时使用比反应区中通常使用的金属前体浓度总体上更低的金属前体浓度。此较低金属前体浓度的使用可通过调节安瓿(容纳所述前体...
该专利属于恩特格里斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司授权不得商用。

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