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本发明涉及一种使用CMOS技术制造电子电路的方法，该方法包括：(a)金属沉积(200)和蚀刻以在衬底中的第一层级形成金属连接(P、P'、…)的步骤，(b)沉积覆盖金属连接的介电材料层(110、…)的步骤，(c)在介电材料的厚度中产生贯通通路...
该专利属于上海虹感微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海虹感微电子科技有限公司授权不得商用。

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