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本公开提出了一种单层二维材料的制备方法，该方法在预处理单晶二维材料后通过在二维材料块体表面低速沉积金膜，在金膜表面沉积水溶性材料作为支撑层，利用金膜和二维材料之间较强的结合力剥离得到单层二维材料，再依次除去支撑层和所述金膜，得到洁净的所述单...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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