单层二维材料及其制备方法技术

本公开提出了一种单层二维材料的制备方法，该方法在预处理单晶二维材料后通过在二维材料块体表面低速沉积金膜，在金膜表面沉积水溶性材料作为支撑层，利用金膜和二维材料之间较强的结合力剥离得到单层二维材料，再依次除去支撑层和所述金膜，得到洁净的所述单层二维材料。利用本公开方法可以实现多种二维材料在任意衬底上的大面积单层二维材料的制备且操作简单，具有较高的灵活性和普适性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及纳米材料，尤其涉及一种单层二维材料及其制备方法。

技术介绍

1、二维层状半导体材料以其超薄的厚度、光滑无化学悬键的表面、与柔性基底良好兼容等性质，在微电子工艺和纳米材料
收到了广泛的关注，被认为是下一代电子和光电子器件的重要组成部分。其中，以过渡金属硫族化合物(transition metaldichalcogenide，tmdc)为例，单层tmdc材料比块体tmdc材料或传统的砷化镓量子阱结构高出一个数量级，较大的结合能使得tmdc材料中的激子在高温下更稳定，从而可以使其进一步发展在电化学、锂电池等领域中的应用。

2、然而大面积单层二维材料的制备一直是一大挑战。传统的胶带剥离的单层二维材料产率低、面积小，同时后续转移处理复杂；化学气相沉积法制备单层二维材料时容易引入缺陷或在晶界处产生堆叠；液相剥离法得到的单层二维材料面积极小且晶体质量不佳。

3、因此，寻找一种普适性高、操作简单，可稳定获得大面积单层二维材料的方法对于纳米材料领域具有深远意义。

技术实现思路p>

1、有鉴于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单层二维材料的制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预理包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述金膜的厚度为150-200nm，所述支撑层的厚度为10-100μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述剥离过程包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，将所述第一复合结构中的所述单层二维材料与所述第一衬底贴合之后，以及除去所述支撑层和所述金膜之前，所述制备方法还包括：

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，除去所述支撑...

【技术特征摘要】

1.一种单层二维材料的制备方法，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预理包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述金膜的厚度为150-200nm，所述支撑层的厚度为10-100μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述剥离过程包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，将所述第一复合结构中的所述单层二维材料与所述第一衬底贴合之后，以及除去所述支撑层和所述金膜之前，所述制备方法还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴旺，张丝雨，尹志岗，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：