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本发明公开了一种电子元件及其制法、电子系统，该电子元件的制法包括为了保护金属层间介电层（ＩＭＤ），特别是低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介电层，于底下硅基材中蚀刻一沟槽（ｔｒｅｎｃｈ）之前，于金属层间介电层（ＩＭＤ）中形成一保护薄膜于一开口（ｏｐｅ...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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