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公开了一种展示较慢生长速率的沉积方法。本公开的一些实施方式提供了利用含卤化物生长抑制剂作为与金属卤化物前驱物和反应物的共反应物的CVD方法。本公开的一些实施方式涉及CVD和ALD方法，该CVD和ALD方法包括将基板表面暴露于包括含卤化物生长...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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