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本申请的实施例提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括定位在衬底的n型掺杂区域中的第一和第二CMOS结构，该第一CMOS结构包括公共栅极端子、第一NMOS体接触点和源极接触点以及第一PMOS体接触点和源极接触点，该第二CMOS结...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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