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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，包括一个或多个堆叠的沟道叠层，包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构，伪栅结构覆盖叠层结构的侧壁和顶部；沿垂直于伪栅结构侧壁方向，去除...
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