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提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；下电极，在基底上；介电层，覆盖下电极；以及上电极，覆盖介电层。下电极中的每个下电极包括：第一电极层，具有圆柱形形状；第一插入层，设置在第一电极层上并且具有圆柱形形状；第二电极层，设置在第一插入...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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