【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、随着半导体装置的高集成度和小尺寸的需求，半导体装置中的数据存储结构的尺寸已经减小。因此，已经进行了各种研究以在结构上优化用于将数据存储在动态随机存取存储器(dram)中的数据存储结构。
技术实现思路
1、根据示例实施例，一种半导体装置包括：基底；多个下电极，在基底上；介电层，覆盖多个下电极；以及上电极，覆盖介电层。多个下电极中的每个下电极包括：第一电极层，具有圆柱形形状；第一插入层，设置在第一电极层上并且具有圆柱形形状；第二电极层，设置在第一插入层上并且延伸以覆盖第一电极层的上端和第一插入层的上端。第一电极层和第二电极层中的至少一个具有第一应力，并且第一插入层具有与第一应力不同的第二应力。第一应力是拉伸应力和压缩应力中的一者，并且第二应力是拉伸应力和压缩应力中的另一者。
2、根据示例实施例，一种半导体装置包括：基底；多个下电极，在基底上；介电层，覆盖多个下电极；以及上电极，覆盖介电层。多个下电极中的每个下电极包括：第一电极层；第二电极层，在第一电极层上；以及插入层，设置在第一电极层与第二电极层之间以被第一电极层和第二电极层围绕，具有圆柱形形状并且包括金属氧化物。
3、根据示例实施例，一种半导体装置包括：隔离层，在基底上限定有源区域；栅电极，与有源区域交叉并向隔离层内部延伸；第一杂质区域和第二杂质区域，在与栅电极相邻的相对侧上设置在有源区域中；位线，设置在栅电极和有源区域上，并且电连接到第一杂质区域；导电图案，设置
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一插入层被所述第一电极层和所述第二电极层围绕。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一应力是所述拉伸应力，并且所述第二应力是所述压缩应力。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一插入层具有大于0埃且小于10埃的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电极层的所述上端和所述第一插入层的所述上端处于基本上同一水平。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二电极层的外侧表面包括与所述第一电极层的外侧表面竖直对准的部分。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二电极层包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二电极层包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述上电极包括填充由所述第二电极层的所述圆柱部分限
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一插入层包括多个堆叠材料层。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第二插入层与所述第一插入层间隔开。
15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述第二电极层的外侧表面包括与所述第三电极层的外侧表面竖直对准的部分。
16.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：
18.根据权利要求16所述的半导体装置，其中：
19.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一插入层被所述第一电极层和所述第二电极层围绕。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一应力是所述拉伸应力，并且所述第二应力是所述压缩应力。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一插入层具有大于0埃且小于10埃的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电极层的所述上端和所述第一插入层的所述上端处于基本上同一水平。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二电极层的外侧表面包括与所述第一电极层的外侧表面竖直对准的部分。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二电极层包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：
10.根据权利要求1所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔俊洛，洪叡珍，李珍秀，蔡弘植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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