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在高K金属栅极(HKMG)堆叠上形成牺牲密封层，以抑制氧化剂(例如氧气及水)影响金属栅极堆叠，从而保护器件EOT。该方法整合了包括以下步骤的处理：在基板上形成界面层；在界面层上形成高K金属氧化物层，该高K金属氧化物层包括与界面层相邻的偶极区...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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