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一种B掺杂AlN单晶及制备方法技术
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文档序号:40090613
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本发明属于氮化铝单晶生长技术领域,具体涉及一种B掺杂AlN单晶及制备方法。所述B掺杂AlN单晶的制备方法为:设计坩埚内部的温区分隔套筒;使得分隔套筒将坩埚底部划分为低温区和高温区;在分隔套筒内部低温区内放入氮化硼多晶颗粒料,分隔套筒外部高温...
该专利属于山东大学所有,仅供学习研究参考,未经过山东大学授权不得商用。
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