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本发明公开了一种有效避免闩锁效应的可控硅ＥＳＤ保护结构，所述有效避免闩锁效应的可控硅ＥＳＤ保护结构包括可控硅器件以及与所述可控硅器件相连的控制电路，所述控制电路控制所述可控硅器件的通断，由于所述控制电路的控制作用，使得所述可控硅器件在静电泄...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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