温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种共享字线的分栅式闪存的擦除方法，所述闪存包括：半导体衬底；字线，设置于源极区域和漏极区域之间；第一存储位单元，位于字线与源极区域之间；第二存储位单元，位于字线与漏极区域之间，两个存储位单元分别具有第一控制栅、第一浮栅和第二控制...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。