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本申请公开了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。该方法包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层，所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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