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本公开的实施例描述了具有结晶的高k介电层的半导体器件。半导体结构包括位于衬底上的鳍结构、位于鳍结构上的栅极介电层以及位于栅极介电层上的栅极结构。栅极介电层的顶部部分是结晶的，并且包括结晶的高k介电材料。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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