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本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，金属氧化物薄膜晶体管由栅极、绝缘层、过渡层、半导体层、漏极以及源极构成；从下到上由栅极、绝缘层、过渡层和半导体层依次连接；漏极和源极位于半导体层上；过渡层和半导体层通过溅射的方法制备，并且在...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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